LED静电失效原理

随着LED业内竞争的不断加剧，LED品质受到了前所未有的重视。LED在制造、运输、装配及使用过程中，生产设备、材料和操作者都有可能给LED带来静电(ESD)损伤，导致LED过早出现漏电流增大，光衰加重，甚至出现死灯现象，静电对LED品质有非常重要的影响。LED的抗静电指标绝不仅仅是简单地体现它的抗静电强度，LED的抗静电能力与其漏电值、整体可靠性有很大关系，更是一个整体质素和可靠性的综合体现。因为往往抗静电高的LED，它的光特性、电特性都会好

LED静电失效原理：

由于环境中存在不同程度的静电，通过静电感应或直接转移等形式LED芯片的PN结两端会积聚一定数量的极性相反的静电电荷，形成不同程度的静电电压。当静电电压超过LED的最大承受值时，静电电荷将以极短的时间（纳秒）在LED芯片的两个电极间放电，从而产生热量。在LED芯片内部的导电层、PN结发光层形成1400℃以上的高温，高温导致局部熔融成小孔，从而造成LED漏电、变暗、死灯，短路等现象。

被静电击损后的LED，严重的往往会造成死灯、漏电。轻微的静电损伤，LED一般没有什么异常，但此时，该LED已经有一定的隐患，当它受到二次静电损伤时，那就会出现暗亮、死灯、漏电的机率增大。通过案例分析总结，当LED芯片受到轻微的、未被觉察的静电损伤，这时候需要扫描电镜放大到一万倍以上进一步确诊，以防更高机率的失效事故发生。

抗静电指标取决于LED芯片，但LED灯更容易受静电损伤

LED灯珠的抗静电指标高低取决于LED发光芯片本身，与封装材料预计封装工艺基本无关，或者说影响因素很小，很细微；LED灯更容易遭受静电损伤，这与两个引脚间距有关系，LED芯片裸晶的两个电极间距非常小，一般是一百微米以内吧，而LED引脚则是两毫米左右，当静电电荷要转移时，间距越大，越容易形成大的电位差，也就是高的电压。所以，封成LED灯后往往更容易出现静电损伤事故。

抗静电指标好是LED综合性能可靠的综合体现

LED的抗静电指标绝不仅仅是简单地体现它的抗静电强度，了解LED芯片外延设计制造的的人都了解，LED芯片的抗静电能力与其漏电值、整体可靠性有很大关系，更是一个综合质素和可靠性的综合体现，因为往往抗静电能力高的LED，它的光特性、电特性都会好。

LED的抗静电指标好不仅仅意味着能适用在各类产品和各种环境中，还是LED综合性能可靠的体现。根据不同品牌的LED抗静电指标，各国际LED大厂的LED抗静电通常都比较好，而部分B品、杂牌、韩系芯片抗静电仍然很低。LED抗静电能力的高低是LED可靠性的核心体现。即便LED的亮度和电性指标都很好，一旦其的抗静电指标低，就很容易因静电损伤而死灯。

熟悉LED制造的企业都深知目前中国LED业内的产品质量参差不齐，不同质量的LED，稳定性相差甚远，使得不少LED用户困惑无比，甚至深受其害。其中又以因LED抗静电低引起的暗亮、死灯、漏电等质量事故最为损失惨重，尤其目前有一些质量并不高的部分台系次品、韩系企业的芯片大量涌入，即便是大厂产品，中间销售商以次充好的现象时常发生，很多公司面临着巨大的风险。业界专家认为，LED封装企业只要选用抗静能力电高一些的LED芯片，做好封装工序，产品肯定可靠稳定。